SI2308DS-T1-E3规格参数_SI2308DS-T1-E3全国代理商/分销商

型号: SI2308DS-T1-E3
功能描述: SI2308DS Series 60 V 0.15 Ohm 10 nC N-Channel Surface Mount Mosfet - SOT-23
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 10nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 240pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 160 毫欧 @ 2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 2A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs