型号: SI2309CDS-T1-G
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 3SOT-23
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 1.2 A
RDS -于： 345@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 40 ns
典型上升时间： 35 ns
典型关闭延迟时间： 15 ns
典型下降时间： 10 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
联系人：木易
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Q Q:
联系人：陈晓玲
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Q Q:
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Q Q:
