型号: SI2309DS-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 1.25 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.34 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236-3
封装: Reel
栅极电荷 Qg: 5.4 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.25 W
工厂包装数量: 3000
零件号别名: SI2309DS-GE3
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