型号: SI2312
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.77A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道
制造商: KEXIN(科信)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 3.77A
栅源极阈值电压: 850mV @ 250uA
漏源导通电阻: 33mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 750mW
类型: N沟道
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