型号: SI2312BDS-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 3TO-236
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 3.9 A
RDS -于： 31@4.5V mOhm
最大门源电压： ±8 V
典型导通延迟时间： 9 ns
典型上升时间： 30 ns
典型关闭延迟时间： 35 ns
典型下降时间： 10 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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