型号: SI2312DS
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6A(Tc)
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 28mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.1W(Tc)
类型: N沟道
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：钟
Q Q:
联系人：张先生
电话：18824647298
Q Q:
联系人：庄贤耿
电话：13530156076
Q Q:
