型号: SI2314EDS-T1-E3
功能描述: Single N-Channel 20 V 0.033 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.77A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 33 毫欧 @ 5A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： SOT-23-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 4.9A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 33mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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