型号: SI2312A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.77A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.77A
栅源极阈值电压: 850mV @ 250uA
漏源导通电阻: 33mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 750mW
类型: N沟道
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