型号: SI2311DS-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 970pF @ 4V
功率耗散（最大值）： 710mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 45 毫欧 @ 3.5A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-23-3
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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