型号:  SI2325DS-T1-GE3

功能描述:  Si2325DS Series 150 V 1.2 Ohm SMT P-Channel MOSFET - SOT-23-3 (TO-236)

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  530mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  12nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  510pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  750mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  1.2 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23-3

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  150V

连续漏极电流ID：  530mA

漏源极导通电阻RDS(ON)：  1.2Ohms

无铅情况/RoHs：  否