型号: SI2333
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道
制造商: BORN伯恩半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7.1A(Tc)
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 35mΩ @ 5.1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: P沟道
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：肖小姐
Q Q:
联系人：马先生
电话：18682000156
Q Q:
联系人：李志军
电话：18610966617
Q Q:
