型号: SI2333DS-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin TO-236 T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 3TO-236
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 12 V
最大连续漏极电流： 4.1 A
RDS -于： 32@4.5V mOhm
最大门源电压： ±8 V
典型导通延迟时间： 25 ns
典型上升时间： 45 ns
典型关闭延迟时间： 72 ns
典型下降时间： 60 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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