型号: SI2335DS-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 450mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1225pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 6V
功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 51 毫欧 @ 4A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13641496086
Q Q:
联系人：曾景童
电话：18320850552
Q Q:
联系人：谭显军
电话：18911733410
Q Q:
