型号: SI3458DV-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 3.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.1 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
工厂包装数量: 3000
零件号别名: SI3458DV-GE3
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：廖S
电话：18570339653
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：吴丽
电话：13686289316
Q Q:
联系人：陈锦海
电话：15989416012
Q Q:
联系人：彭先生
电话：17097219357
Q Q:
