型号: SI3459BDV-T1-G
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 6TSOP
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 2.2 A
RDS -于： 216@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 45|5 ns
典型上升时间： 60|12 ns
典型关闭延迟时间： 16|18 ns
典型下降时间： 13|10 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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