型号:  SI3460BDV-T1-E3

功能描述:  MOSFET 20V 8.0A 3.5W

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSOP-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  8 A

Rds On-漏源导通电阻:  27 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  16 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3.5 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  3.05 mm

系列:  SI3

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.65 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  22 S

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  60 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

零件号别名:  SI3460BDV-E3

单位重量:  20 mg