型号: SI3585DV-T1-E3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A，1.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 600mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 830mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装： 6-TSOP
其它名称： SI3585DV-T1-E3TRSI3585DVT1E3
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