型号: SI3586DV-T1
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 6TSOP
渠道类型： N|P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 2.9@N Channel|2.1@P Channel A
RDS -于： 60@4.5V@N Channel|110@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压： ±8 V
典型导通延迟时间： 30@N Channel|28@P Channel ns
典型上升时间： 52@N Channel|55@P Channel ns
典型关闭延迟时间： 25@N Channel|55@P Channel ns
典型下降时间： 20@N Channel|32@P Channel ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
单位包： 0
最小起订量： 1
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