型号: SI3851DV-T1-GE3
功能描述: MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： P-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 1.6 A
导通电阻： 200 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TSOP-6
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 830 mW
工厂包装数量： 3000
零件号别名： SI3851DV-GE3
ROHS： 无铅
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