型号:  SI3900DV-T1-E3

功能描述:  MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSOP-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  2.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.15 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SI3

晶体管类型:  2 P-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  5 S

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  30 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns

典型接通延迟时间:  10 ns

零件号别名:  SI3900DV-E3

单位重量:  20 mg