型号: SI4376DY-T1
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 5.7 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V, 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
封装: Reel
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 9 ns, 10 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 11 ns
典型关闭延迟时间: 27 ns, 40 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
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