型号: SI4435DDY-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 8.1 A
RDS -于： 24@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10|42 ns
典型上升时间： 8|35 ns
典型关闭延迟时间： 45|40 ns
典型下降时间： 12|16 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：唐先生
电话：18126336207
Q Q:
联系人：洪先生
电话：13902989667
Q Q:
联系人：吕先生
Q Q:
