型号: SI4435DDY-T1-G
功能描述: Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 8SOIC N
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 8.1 A
RDS -于： 24@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10|42 ns
典型上升时间： 8|35 ns
典型关闭延迟时间： 45|40 ns
典型下降时间： 12|16 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：陈敏
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Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：方萍娟
电话：13631525115
Q Q:
联系人：白杨
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Q Q:
联系人：李先生,张女士
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Q Q:
