型号: SI4446DY-T1-E3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 8SOIC N
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 40 V
最大连续漏极电流： 3.9 A
RDS -于： 40@10V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 7 ns
典型上升时间： 11 ns
典型关闭延迟时间： 27 ns
典型下降时间： 8 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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