型号: SI4459ADY-T1-G
功能描述: Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装: 8SOIC N
渠道类型: P
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 30 V
最大连续漏极电流: 19.7 A
RDS -于: 5@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 16|75 ns
典型上升时间: 16|130 ns
典型关闭延迟时间: 80|60 ns
典型下降时间: 20|40 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
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