型号: SI4490DY-T1-GE3
功能描述: Single N-Channel 200 V 0.08 O 42 nC Surface Mount Mosfet - SOIC-8
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.85A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 42nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.56W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 80 毫欧 @ 4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 2.85A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 80mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18173569573
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13537559222
Q Q:
