型号: SI4493DY-T1-GE3
功能描述: P-Channel 20 V 0.00775 Ohm 1.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 10A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 110nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 7.75 毫欧 @ 14A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 10A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 7.75mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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