型号: SI4501DY
功能描述: Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
制造商: Vishay
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V, 8 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V, +/- 8 V
漏极连续电流: 9 A, 6.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 18 mOhms, 42 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
下降时间: 17 ns, 60 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 9 ns, 50 ns
工厂包装数量: 100
典型关闭延迟时间: 35 ns, 110 ns
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