型号: SI4505DY-T1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V, 8 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V, +/- 8 V
漏极连续电流: 6.5 A, 3.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 18 mOhms, 42 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.2 W
上升时间: 8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 35 ns at N Channel, 60 ns at P Channel
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