型号: SI4511DY-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.2A，4.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 14.5 毫欧 @ 9.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 4.5V
功率 - 最大值： 1.1W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SO
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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