型号: SI4776DY-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： SkyFET®，TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 11.9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 17.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 521pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 4.1W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 16 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 11.9A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 13mOhms
无铅情况/RoHs： 否
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