型号: SI4866BDY-T1-E3
功能描述: Si4866BDY Series N-Channel 12 V 5.3 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 21.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 80nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 5020pF @ 6V
Vgs(最大值): ±8V
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),4.45W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 5.3 毫欧 @ 12A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装形式Package: SOIC-8
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 12V
连续漏极电流ID: 16.1A
漏源极导通电阻RDS(ON): 5.3mOhms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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