型号: SI4896DY-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 80 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 9.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 16.5 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Tube
下降时间: 11 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.1 W
上升时间: 11 ns
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 40 ns
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
电话：18124020586
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：白面书生
电话：15889481983
Q Q:
联系人：jocy
Q Q:
联系人：尹学
电话：17817281186
Q Q:
