型号: SI4920DY
功能描述: MOSFET SO8 DUAL NCH
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 18 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 10 ns
系列: SI4920
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
单位重量: 85 mg
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