型号: SI4925DY-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 4.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 32 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Tube
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.1 W
上升时间: 10 ns
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 55 ns
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13417122760
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：李小姐，朱先生
电话：15889589108
Q Q:
联系人：谢小姐，朱小姐，曾小姐
电话：15013741976
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13531885583
Q Q:
