型号: SI4943CDY-T1GE3
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 8SOIC N
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 8 A
RDS -于： 19.2@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 13|50 ns
典型上升时间： 11|71 ns
典型关闭延迟时间： 35|29 ns
典型下降时间： 10|15 ns
工作温度： -50 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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Q Q:
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