型号: SI7501DN-T1-E3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： TrenchFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： N 和 P 沟道，共漏
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.4A，4.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 35 毫欧 @ 7.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 1.6W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装： PowerPAK® 1212-8 Dual
其它名称： SI7501DN-T1-E3CT
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