型号: SI7664DP-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 125nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7770pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 5.4W（Ta），83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.1 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PowerPAK® SO-8
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈远红
电话：15999652886
Q Q:
联系人：梁昌是
电话：15876982513
Q Q:
联系人：赵S
电话：18902449956
Q Q:
