型号:  SI8406DB-T2-E1

功能描述:  Si8406DB Series 20 V 0.033 Ohm SMT N-Channel MOSFET - MICRO FOOT

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  16A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  850mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  20nC @ 8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  830pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±8V

功率耗散（最大值）：  2.77W（Ta），13W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  33 毫欧 @ 1A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-uFBGA

封装形式Package：  MicroFoot-6

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  16A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  33mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  850mV

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs