型号: SI8416DB-T2-E1
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 16A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 23 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1470pF @ 4V
功率 - 最大值: 13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UFBGA
供应商器件封装: 6-Micro Foot?
联系人:Alien
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:傅小姐
电话:13310061703
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:夏生
Q Q:
联系人:陈
电话:18002532730
联系人:罗志坚
电话:13923482469