型号: SI8416DB-T2-E1
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 23 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1470pF @ 4V
功率 - 最大值： 13W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UFBGA
供应商器件封装： 6-Micro Foot?
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：夏生
Q Q:
联系人：陈
电话：18002532730
Q Q:
联系人：罗志坚
电话：13923482469
Q Q:
