型号:  SI8425DB-T1-E1

功能描述:  Single P-Channel 20 V 23 mO 36 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  900mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  110nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2800pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±10V

功率耗散（最大值）：  1.1W（Ta），2.7W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  23 毫欧 @ 2A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  4-uFBGA，WLCSP

封装形式Package：  MicroFoot-4

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  9.3A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  23mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  900mV

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs