型号: SI8466EDB-T2-E1
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
特色产品： N-Channel 8 V (D-S) MOSFETs
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： -
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 43 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 710pF @ 4V
功率 - 最大值： 780mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-UFBGA，WLCSP
供应商器件封装： 4-Microfoot
其它名称： SI8466EDB-T2-E1TRSI8466EDBT2E1
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