型号: SI8812DB-T2-E1
功能描述: Si8812DB Series 20 V 0.059 Ohm SMT N-Channel MOSFET - MICRO FOOT
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.2V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 17nC @ 8V
Vgs（最大值）： ±5V
功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 59 毫欧 @ 1A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-uFBGA
封装形式Package： MicroFoot-4
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 3.2A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 590mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)： 1V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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