型号: SI8900EDB-T1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 10-Pin Micro Foot T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 10Micro Foot
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 5.4 A
RDS -于： 24@4.5V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 3000 ns
典型上升时间： 4500 ns
典型关闭延迟时间： 55000 ns
典型下降时间： 15000 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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