型号: SI8900EDB-T2-E1
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 10-UFBGA，CSPBGA
供应商器件封装： 10-Micro Foot?（2x5）
其它名称： SI8900EDB-T2-E1TR
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