型号: SI9945AEY
功能描述: Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
制造商: Vishay
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 3.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 80 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Tube
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.4 W
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 100
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 21 ns
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李伦政
Q Q:
联系人：吕先生
Q Q:
联系人：小彭
电话：13302930367
Q Q:
