型号: SI9953DY
功能描述: Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
制造商: Vishay
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 2.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.25 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 100
典型关闭延迟时间: 20 ns
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