型号: SIA442DJ-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 32 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 9.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 380pF @ 60V
功率 - 最大值： 19W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SC-70-6
供应商器件封装： PowerPAK® SC-70-6 单
其它名称： SIA442DJ-T1-GE3TR
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：朱先生，曾小姐
电话：15875581958
Q Q:
联系人：李
电话：29412262
Q Q:
