型号: SIA936EDJ-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
特色产品： 20 V Dual N-Channel Power MOSFET
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 34 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 7.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装： PowerPAK® SC-70-6 双
其它名称： SIA936EDJ-T1-GE3TR
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