型号: SIDR608DP-T1-RE3
功能描述: MOSFET N-CH 45V PP SO-8
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 45V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 51A（Ta），208A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 1.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 167nC @ 10V
Vgs（最大值）: +20V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 8900pF @ 20V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
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